PMOS

PMOS (сокращение от англ. P-channel Metal-Oxide-Semiconductor) — полупроводниковый прибор, p-канальный МОП-транзистор, в котором управление током осуществляется через p-канал. Термин «МОП» расшифровывается как Металл-Оксид-Полупроводник. PMOS транзисторы представляют собой тип полевых транзисторов и является аналогом NMOS. На их основе строились элементы памяти, такие как Intel 1702, К505РР1. Это серия ЛИПЗ МОП с электрической записью и ультрафиолетовым стиранием. ЛИПЗ — лавинный пробой p-n-перехода обратным напряжением (до 50 В). Основной носитель — электроны, так как по технологии того времени инжектировать электроны в изолированный слой было проще. Одна ячейка памяти строилась на двух транзисторах. По теоретическим данным, ячейка могла хранить информацию до 10 лет.

PMOS (сокращение от англ. P-channel Metal-Oxide-Semiconductor) — полупроводниковый прибор, p-канальный МОП-транзистор, в котором управление током осуществляется через p-канал. Термин «МОП» расшифровывается как Металл-Оксид-Полупроводник. PMOS транзисторы представляют собой тип полевых транзисторов и является аналогом NMOS^[1]. На их основе строились элементы памяти, такие как Intel 1702, К505РР1^[2]. Это серия ЛИПЗ МОП с электрической записью и ультрафиолетовым стиранием. ЛИПЗ — лавинный пробой p-n-перехода обратным напряжением (до 50 В). Основной носитель — электроны, так как по технологии того времени инжектировать электроны в изолированный слой было проще. Одна ячейка памяти строилась на двух транзисторах. По теоретическим данным, ячейка могла хранить информацию до 10 лет.

У этой статьи есть 5 проблем, помогите их исправить:

Эту статью необходимо исправить в соответствии с правилами Википедии об оформлении статей.

Пожалуйста, помогите улучшить эту статью. (20 июня 2007)

Эта статья слишком короткая.

Пожалуйста, дополните её ещё хотя бы несколькими предложениями и уберите это сообщение. Если статья останется недописанной, она может быть выставлена к удалению. Для указания на продолжающуюся работу над статьёй используйте шаблон {{subst:Редактирую}}.
Администраторам и подводящим итоги: эта пометка оставлена 2007-06-20. Просьба очень короткие заготовки статей ранее чем через два дня после создания не удалять. (20 июня 2007)

В статье не хватает ссылок на источники (см. рекомендации по поиску).

Информация должна быть проверяема, иначе она может быть удалена. Вы можете отредактировать статью, добавив ссылки на авторитетные источники в виде сносок. (20 июня 2007)

Стиль этой статьи неэнциклопедичен или нарушает нормы литературного русского языка.

Статью следует исправить согласно стилистическим правилам Википедии. (14 сентября 2007)

Пожалуйста, после исправления проблемы удалите соответствующий шаблон. Узнать, как это сделать, можно на справочной странице.

Примечания

[править | править код]

1. ↑ PMOS VS NMOS: Focus on Two Main Forms of MOSFET (англ.). www.nextpcb.com. Дата обращения: 5 января 2026. Архивировано 7 ноября 2025 года.
2. ↑ admin. A history of the EPROM in the Soviet Union | The CPU Shack Museum . The CPU Shack Museum | CPU History Museum for Intel CPUs, AMD Processor, Cyrix Microprocessors, Microcontrollers and more. (20 января 2023). Дата обращения: 5 января 2026.