LOCOS
LOCOS는 LOCal Oxidation of Silicon의 줄임말로, 실리콘 웨이퍼의 선택된 영역에 이산화 규소를 형성하는 미세가공 공정으로, Si-SiO2 계면이 나머지 실리콘 표면보다 낮은 지점에 위치한다. 2008년 현재 대부분 얕은 트렌치 격리로 대체되었다. 이 기술은 MOS 트랜지스터를 서로 절연시키고 트랜지스터의 상호 간섭을 제한하기 위해 개발되었다. 주된 목표는 웨이퍼 표면 아래로 침투하는 산화 규소 절연 구조를 만들어 Si-SiO2 계면이 나머지 실리콘 표면보다 낮은 지점에 발생하도록 하는 것이다. 이는 필드 산화물을 식각하는 것으로는 쉽게 달성할 수 없다. 대신 트랜지스터 주변의 선택된 영역을 열산화시키는 방법을 사용한다. 산소는 웨이퍼 깊이로 침투하여 규소와 반응하고 이를 산화 규소로 변환한다. 이런 방식으로 침수된 구조가 형성된다. 공정 설계 및 분석 목적을 위해 실리콘 표면의 산화는 딜-그로브 모델을 사용하여 효과적으로 모델링할 수 있다.
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1) 규소 2) 이산화 규소
LOCOS는 LOCal Oxidation of Silicon의 줄임말로, 실리콘 웨이퍼의 선택된 영역에 이산화 규소를 형성하는 미세가공 공정으로, Si-SiO2 계면이 나머지 실리콘 표면보다 낮은 지점에 위치한다. 2008년 현재 대부분 얕은 트렌치 격리로 대체되었다.
이 기술은 MOS 트랜지스터를 서로 절연시키고 트랜지스터의 상호 간섭을 제한하기 위해 개발되었다. 주된 목표는 웨이퍼 표면 아래로 침투하는 산화 규소 절연 구조를 만들어 Si-SiO2 계면이 나머지 실리콘 표면보다 낮은 지점에 발생하도록 하는 것이다. 이는 필드 산화물을 식각하는 것으로는 쉽게 달성할 수 없다. 대신 트랜지스터 주변의 선택된 영역을 열산화시키는 방법을 사용한다. 산소는 웨이퍼 깊이로 침투하여 규소와 반응하고 이를 산화 규소로 변환한다. 이런 방식으로 침수된 구조가 형성된다. 공정 설계 및 분석 목적을 위해 실리콘 표면의 산화는 딜-그로브 모델을 사용하여 효과적으로 모델링할 수 있다.[1]
각주
[편집]- ↑ Liu, M.; Peng, J. 외 (2016). 《Two-dimensional modeling of the self-limiting oxidation in silicon and tungsten nanowires》. 《Theoretical and Applied Mechanics Letters》 6. 195–199쪽. arXiv:1911.08908. doi:10.1016/j.taml.2016.08.002.