Surrounding Gate Transistor
Surrounding Gate Transistor o in breve SGT è una nuova tecnologia per transistor 3D ideata dalla giapponese Unisantis Electronics e dall'Institute of Microelectronics di Singapore. Il capo del progetto della durata di 24 mesi è Fujio Masuoka. Il transistor dovrebbe operare a frequenze tra i 20 e i 50 GHz, offrendo anche meno dispersione di calore grazie alla sua configurazione geometrica.
Surrounding Gate Transistor o in breve SGT è una nuova tecnologia per transistor 3D ideata dalla giapponese Unisantis Electronics e dall'Institute of Microelectronics di Singapore.
Il capo del progetto della durata di 24 mesi è Fujio Masuoka. Il transistor dovrebbe operare a frequenze tra i 20 e i 50 GHz, offrendo anche meno dispersione di calore grazie alla sua configurazione geometrica.
Voci correlate
[modifica | modifica wikitesto]Collegamenti esterni
[modifica | modifica wikitesto]- Punto Informatico, su punto-informatico.it.
- (EN) Unisantis, su unisantis-el.jp. URL consultato l'11 dicembre 2007 (archiviato dall'url originale il 16 dicembre 2007).
.svg)